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参数资料
| 型号： | FDP047AN08 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз |
| 中文描述： | N沟道UltraFET沟道MOSFET 75V的，80A条，4.7mз |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | FDP047AN08 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP047AN08A0 Rev. A
F
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 2V
0
Q
gs2
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
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PDF描述 |
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