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参数资料
| 型号： | FDP054N10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 203nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 263W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.4
2.0
1.1
1.6
1.0
1.2
0.9
* Notes :
1. V GS = 0V
0.8
* Notes :
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-80
-40
2. I D = 10mA
0 40 80 120 160
o
200
0.4
-80
-40
2. I D = 75A
0 40 80 120 160
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1000
100
100 μ s
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
150
100
Limitted by package
10
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
DC
50
1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
1 ms
R θ Jc = 0.57 o C/W
T C , Case Temperature [ C ]
0.1
0.1
T C = 25 o C 100 ms
1 10 100 400
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
10 ms
0
25
50 75 100 125
o
150
175
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
P DM
0.01
0.02
0.01
* Notes :
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.57 C/W Max.
Single pulse
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
10
0.001
-5
-4
-3
-2
-1
1
10
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP054N10 Rev. C3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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