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参数资料
| 型号： | FDP054N10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 203nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 263W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP054N10 Rev. C3
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP060AN08A0 | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB |
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| FDP083N15A | MOSFET N-CH 150V TO-220-3 |
| FDP085N10A | MOSFET N-CH 100V TO-220-3 |
| FDP090N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP054N10_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 144A, 5.5m?? |
| FDP054N10_SN00215 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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| FDP060AN08A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 75V, 80A TO-220AB |
| FDP060AN08A0_Q | 功能描述:MOSFET 75V 80a .6Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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