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参数资料
型号： FDP054N10
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 5/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
标准包装： 50
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 5.5 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 203nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 13280pF @ 25V
功率 - 最大： 263W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 成形引线
供应商设备封装： TO-220-3
包装： 管件
I G = const .
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP054N10 Rev. C3
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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