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参数资料
| 型号： | FDP100N10 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| 中文描述： | 75 A, 100 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 464K |
| 代理商： | FDP100N10 |
F
FDP100N10 Rev. A1
www.fairchildsemi.com
3
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
1000
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
and Temperature
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
Figure 5. Capacitance Characteristics
8000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Figure 6. Gate Charge Characteristics
2
4
6
8
10
12
1
10
100
-55
o
C
150
o
C
*Notes:
1. V
DS
= 20V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
o
C
I
D
,
V
GS
,Gate-Source Voltage[V]
0.1
1
10
100
5
500
I
D
,
V
DS
,Drain-Source Voltage[V]
*Notes:
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
=
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5
0.2
0.4
V
SD
, Body Diode Forward Voltage [V]
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
1000
*Notes:
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
150
o
C
I
S
,
25
o
C
0
50
100
I
D
, Drain Current [A]
150
200
250
300
350
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
*Note: T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
[
]
,
D
0.1
1
10
0
2000
4000
6000
C
oss
C
iss
*Note:
1. V
GS
= 0V
2. f = 1MHz
C
rss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
30
0
15
30
45
60
75
90
0
2
4
6
8
10
*Note: I
D
= 75A
V
DS
= 80V
V
DS
= 50V
V
DS
= 25V
V
G
,
Q
g
, Total Gate Charge [nC]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| FDP10AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 75A, 10.5mз |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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