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参数资料
| 型号： | FDP100N10 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| 中文描述： | 75 A, 100 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 464K |
| 代理商： | FDP100N10 |
F
FDP100N10 Rev. A1
www.fairchildsemi.com
5
Gate Charge Test Circuit & Waveform
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| FDD120AN15A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP100N10_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 75A, 10m?? |
| FDP10AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V 75a 0.0105Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDP10N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 9A, 0.85Ω |
| FDP10N60NZ | 功能描述:MOSFET 600N-Channel MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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