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参数资料
| 型号： | FDP16AN08A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 58A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 58A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1857pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FDP16AN08A0-ND FDP16AN08A0FS |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.4
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.2
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0 40 80 120
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
160
200
0.9
-80
-40
0 40 80 120
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
160
200
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
3000
1000
C OSS ? C DS + C GD
C RSS = C GD
C ISS = C GS + C GD
10
8
6
4
V DD = 40V
100
50
V GS = 0V, f = 1MHz
2
0
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 58A
I D = 28A
0.1
1
10
75
0
5
10 15 20
25
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
? 200 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP16AN08A0 Rev. C2
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| FDP18N20F | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 |
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| FDP2552 | MOSFET N-CH 150V 37A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP16G | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
| FDP16N50 | 功能描述:MOSFET 500V 16A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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