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参数资料
| 型号： | FDP16AN08A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 58A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 58A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1857pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FDP16AN08A0-ND FDP16AN08A0FS |
SPICE Thermal Model
REV 23 March 2002
FDB16AN08A0T
CTHERM1 th 6 0.002
CTHERM2 6 5 0.004
th
JUNCTION
CTHERM3 5 4 0.006
RTHERM1
CTHERM1
CTHERM4 4 3 0.01
CTHERM5 3 2 0.03
CTHERM6 2 tl 0.08
6
RTHERM1 th 6 0.075
RTHERM2 6 5 0.09
RTHERM3 5 4 0.1
RTHERM4 4 3 0.15
RTHERM2
CTHERM2
RTHERM5 3 2 0.2
RTHERM6 2 tl 0.25
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDD16AN08A0T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 0.002
ctherm.ctherm2 6 5 = 0.004
ctherm.ctherm3 5 4 = 0.006
ctherm.ctherm4 4 3 = 0.01
ctherm.ctherm5 3 2 = 0.03
ctherm.ctherm6 2 tl = 0.08
rtherm.rtherm1 th 6 = 0.075
rtherm.rtherm2 6 5 = 0.09
rtherm.rtherm3 5 4 = 0.1
rtherm.rtherm4 4 3 = 0.15
rtherm.rtherm5 3 2 = 0.2
rtherm.rtherm6 2 tl = 0.25
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
4
3
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
}
2
RTHERM6
tl
CASE
CTHERM6
? 200 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP16AN08A0 Rev. C2
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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