参数资料
型号: FDP39N20
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 200V 39A TO-220
产品目录绘图: MOSFET TO-220 Pkg
标准包装: 1,000
系列: UniFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 39A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 66 毫欧 @ 19.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 25V
功率 - 最大: 251W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
GS GS
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP39N20 / FDPF39N20 Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
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