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参数资料
| 型号： | FDP6670AL |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2440pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
100
V GS = 10V
4.0V
1.8
6.0V
4.5V
1.6
V GS = 3.5V
75
3.5V
1.4
50
4.0V
1.2
4.5V
5.0V
25
3.0V
1
6.0V
10V
0
0
0.5
1
1.5
2
0.8
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
0
20
40 60
I D , DRAIN CURRENT (A)
80
100
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = 80A
V GS =10V
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.021
I D = 40A
1.4
0.017
1.2
0.013
1
0.8
0.009
T A = 125 o C
T A = 25 o C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.005
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
100
V DS = 10V
80
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
1000
V GS = 0V
100
10
T A = 125 o C
60
25 o C
1
40
T A = 125 o C
25 o C
0.1
-55 o C
20
0
-55 o C
0.01
0.001
2
2.5
3
3.5
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDP6670AL/FDB6670AL Rev D(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP7030BL | MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 |
| FDP75N08 | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220 |
| FDP8030L | MOSFET N-CH 30V 80A TO220 |
| FDP80N06 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 |
| FDP8440 | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP6670AL_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP6670AS | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ |
| FDP6670AS_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ |
| FDP6670AS_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDP6670S | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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