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参数资料
| 型号： | FDP75N08 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220 |
| 产品变化通告： | Specifications Change 26/June/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 104nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4468pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 137W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS
Figure 2. Transfer Characteristics
Top:
15.0V
9.0V
7.5V
7.0V
6.5v
100
10
150 C
2
6.0V
5.5V
5.0V
0
25 C
-55 C
Bottom : 4.5V
0
0
10
* Note :
2. T C =25 C
* Note :
1. 250 μ s Pulse Test
0
1. V DS =40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
1
0
1
1
2
4
6
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
0.012
10
0.011
0.010
V GS = 10V
2
150 C
25 C
0
0
10
* Note : T J = 25 C
10
0.009
0.008
0.007
V GS = 20V
o
1
0
* Note :
1. V GS =0V
2. 250 μ s Pulse Test
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V DS , Source-Drain Violtage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12
6000
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = 15V
5000
C iss
8
V DS = 37.5V
V DS = 60V
4000
6
3000
2000
C rss
* Note :
1. V GS = 0 V
4
2. f = 1 MHz
1000
2
* Note : I D = 75A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1 0
20
3 0
40
5 0
60
70
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP75N08A Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP8030L | MOSFET N-CH 30V 80A TO220 |
| FDP80N06 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 |
| FDP8440 | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
| FDP8441 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB |
| FDP8443_F085 | MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP75N08_0606 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:75V N-Channel MOSFET |
| FDP75N08A | 功能描述:MOSFET 75V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP79N15 | 功能描述:MOSFET 150V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP79N15_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET |
| FDP7N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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