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参数资料
| 型号： | FDP8860 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 222nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12240pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 254W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
20000
f = 1MHz
8
V DD = 12V
10000
V GS = 0V
C iss
6
V DD = 15V
4
2
V DD = 18V
1000
C oss
C rss
0
0
40 80 120
160
500
0.1
1 10
40
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
200
100
280
240
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
200
V GS =10V
10
T J = 175 o C
T J = 25 o C
160
120
80
V GS =4.5V
10
10
10
10
10
10
10
10
R θ JC = 0.59 C/W
1
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
40
0
25
50 75
o
L imited by Package
100 125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
10
2000
1000
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
5
10
175 – T C
I = I 25 -----------------------
100
10
LIMITED BY
PACKAGE
10us
100us
4
V GS = 10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
125
T C = 25 o C
10
1ms
3
10
10
10
10
10
10
10
10
1
0.1
1
OPERATION IN THIS SINGLE PULSE
AREA MAY BE TJ = MAX RATED
LIMITED BY r DS(on) TC = 25 O C
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
10ms
DC
50
2
-5
SINGLE PULSE
-4 -3 -2 -1
t, PULSE WIDTH (s)
0
1
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDP8860 Rev.B
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP8870_F085 | MOSFET N-CH 30V 156A TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8870_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDP8874 | 功能描述:MOSFET 30V 114A 5.3 OHM N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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