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参数资料
| 型号： | FDPF12N50NZT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 520 毫欧 @ 5.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 400V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1235pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 42W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.20
1.15
1.10
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.8
2.4
2.0
1.05
1.6
1.00
0.95
1.2
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
0.85
-100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250uA
-50 0 50 100 150
o
0.8
0.4
-75 -50
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 5.75A
0 50 100 150
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
- FDPF12N50NZ
100
10 ? s
100 ? s
Figure 10.Maximum Safe Operating Area
- FDP12N50NZ
100
30 ? s
100 ? s
10
1ms
10
1ms
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10ms
100 ms
DC
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10ms
DC
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.1
0.01
1
*Notes:
o
o
3. Single Pulse
10
100
1000
0.1
0.01
1
10
* Notes :
o
o
3. Single Pulse
100
1000
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 11. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
12
10
8
6
4
2
V DS , Drain-Source Voltage [V]
T C , Case Temperature [ C ]
0
25
50 75 100 125
o
150
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP12N50NZ / FDPF12N50NZ Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF12N50T | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F |
| FDPF12N50UT | MOSFET N-CH 500V TO-220F-3 |
| FDPF12N60NZ | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| FDPF13N50FT | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F |
| FDPF14N30T | MSOFET N-CH 300V 14A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF12N50T | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF12N50UT | 功能描述:MOSFET 500V 10A N-Chan Ultra FRFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF12N60NZ | 功能描述:MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF13N50FT | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF13N50FT_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 12A, 0.54?? |
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