参数资料
型号: FDPF12N50NZT
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
标准包装: 50
系列: UniFET-II™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 520 毫欧 @ 5.75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 30nC @ 400V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1235pF @ 25V
功率 - 最大: 42W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220F
包装: 管件
Figure 14. Gate Charge Test Circuit & Waveform
I G = const .
Figure 15. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 16. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP12N50NZ / FDPF12N50NZ Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FDPF12N50T 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF12N50UT 功能描述:MOSFET 500V 10A N-Chan Ultra FRFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF12N60NZ 功能描述:MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF13N50FT 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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