参数资料
型号: FDPF14N30
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: JFETs
英文描述: 300V N-Channel MOSFET
中文描述: 14 A, 300 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封装: TO-220F, 3 PIN
文件页数: 8/10页
文件大小: 315K
代理商: FDPF14N30
8
www.fairchildsemi.com
FDP14N30 / FDPF14N30 Rev. A
F
Mechanical Dimensions
TO-220
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PDF描述
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参数描述
FDPF14N30T 功能描述:MSOFET N-CH 300V 14A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:UniFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
FDPF15N40 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 15A, 0.3Ω
FDPF15N65 功能描述:MOSFET 30V 92A 5.9OHMS NCH POWER TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF15N65YDTU 功能描述:MOSFET 650V 15A N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF16N50 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube