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参数资料
| 型号： | FDPF190N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 27.4A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 27.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2685pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 33W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.10
1.05
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.5
2.0
1.5
1.00
1.0
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C]
0.95
0.90
-100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.5
0.0
-100
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 27.4A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
500
100
100 μ s
10
1ms
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
30
25
20
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
1
0.1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
o
o
10ms
100ms
DC
15
10
5
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
0.1
3. Single Pulse
1 10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
300
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Eoss vs. Drain to Source Voltage
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
25 50 75 100 125
V DS , Drain to Source Voltage [ V ]
150
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF190N15A Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDPF20N50T | 功能描述:MOSFET 500V 20A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF24N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175ヘ |
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