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参数资料
型号： FDPF190N15A
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 6/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 150V 27.4A TO-220F
标准包装： 50
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 27.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 19 毫欧 @ 27.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 2685pF @ 25V
功率 - 最大： 33W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商设备封装： TO-220F
包装： 管件
I G = const .
Figure 13. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 14. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
Figure 15. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF190N15A Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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FDPF20N50FT 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF20N50T 功能描述:MOSFET 500V 20A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF24N40 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175ヘ
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