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参数资料
| 型号： | FDPF3N50NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 27W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.15
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.6
2.4
1.10
2.0
1.05
1.00
1.6
1.2
0.95
*Notes:
1. V GS = 0V
0.8
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
-75 -50
2. I D = 250 ? A
0 50 100 150
o
0.4
-75 -50
2. I D = 1.5A
0 50 100
o
150
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
vs. Case Temperature -FDPF3N50NZ
20
Figure 10. Maximum Drain Current
4
10
1
100 ? s
1ms
10ms
30 ? s
3
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
2
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.1
*Notes:
o
o
1
T C , Case Temperature [ C]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Unclamped Inductive Switching Capability
4
3
T J = 25 o C
2
T J = 125 o C
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF3N50NZ Rev. C2
1
0.01
0.1
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
4
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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| FDPF51N25 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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