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参数资料
| 型号： | FDPF7N60NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.25 欧姆 @ 3.25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 730pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 33W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
20
V GS = 15.0 V
Figure 2. Transfer Characteristics
100
10
10.0 V
8.0 V
7.0 V
150 C
6.5 V
6.0 V
10
o
25 C
-55 C
1
1
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
V DS , Drain-Source Voltage[V]
20
0.1
4
* Notes :
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7
V GS , Gate-Source Voltage[V]
8
150 C
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
o
25 C
1.4
V GS = 10V
10
o
1.2
1.0
V GS = 20V
Notes:
1. V GS = 0V
* Note : T J = 25 C
0.8
0
2
4 6 8 10 12
I D , Drain Current [A]
o
14
1
0.4
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.4
Figure 5. Capacitance Characteristics
5000
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
V DS = 120V
1000
C iss
C oss
8
6
V DS = 300V
V DS = 480V
100
10
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
* Note:
C rss
4
2
1
0.1
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
1 10
30
0
0
2
* Note : I D = 6.5A
4 6 8 10 12
14
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP7N60NZ / FDPF7N60NZ Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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