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参数资料
| 型号： | FDPF7N60NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.25 欧姆 @ 3.25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 730pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 33W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
0.9
0.8
-100
* Notes :
1. V GS = 0V
2. I D = 250uA
-50 0 50 100 150
o
0.5
0
-100
* Notes :
1. V GS = 10V
2. I D = 3.25A
-50 0 50 100
o
150
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
- FDPF7N60NZ / FDPF7N60NZT
100
10 μ s
Figure 10. Maximum Safe Operating Area
- FDP7N60NZ
100
30 μ s
10
100 μ s
10
100 μ s
1
1ms
10ms
1
1ms
10ms
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
1. T C = 25 C
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
2. T J = 150 C
0.1
* Notes :
o
o
0.1
* Notes :
o
o
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
Figure 11. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
8
6
4
2
T C , Case Temperature [ C ]
0
25
50 75 100 125
o
150
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP7N60NZ / FDPF7N60NZ Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF8N50NZF | MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F |
| FDPF8N50NZT | MOSFET N-CH 500V8A TO-220F |
| FDPF8N50NZU | MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F |
| FDPF8N60ZUT | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| FDQ7236AS | MOSFET N-CH 30V DUAL PS 14-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF8N50NZ | 功能描述:MOSFET UniFET2 500V N-chan RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF8N50NZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFETUNITFET 500V 8A TO-220F 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, UNITFET, 500V, 8A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):770mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V ;RoHS Compliant: No |
| FDPF8N50NZF | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF8N50NZF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFETUNITFET 500V 7A TO-220F |
| FDPF8N50NZT | 功能描述:MOSFET N-CH 500V8A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:UniFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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