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参数资料
| 型号： | FDQ7236AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL PS 14-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A，11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W，1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics : Q2
SyncFET Schottky Body Diode
Characteristics
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode
in parallel with PowerTrench MOSFET. This diode
exhibits similar characteristics to a discrete external
Schottky diode in parallel with a MOSFET. Figure 12
shows the reverse recovery characteristic of the
FDQ7236AS Q2.
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at
high temperature and high reverse voltage. This will
increase the power dissipated in the device.
0.1
0.01
0.001
T A = 125 o C
T A = 100 o C
0.0001
T A = 25 o C
0.00001
0
5
10 15 20
25
30
V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 14. SyncFET body diode reverse
leakage versus drain-source voltage and
temperature .
TIME : 12nS/div
Figure 12. FDQ7236AS SyncFET body
diode reverse recovery characteristic.
For comparison purposes, Figure 13 shows the reverse
recovery characteristics of the body diode of an
equivalent size MOSFET produced without
SyncFET(FDS6670A).
TIME : 12nS/div
Figure 13. Non-SyncFET (FDS6670A) body
diode reverse recovery characteristic.
FDQ7236AS Rev C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDQ7238AS | MOSFET N-CH DUAL 30V 14SOIC |
| FDS2572 | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC |
| FDS2582 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC |
| FDS2670 | MOSFET N-CH 200V 3A SO-8 |
| FDS2672_F085 | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDQ7238AS | 功能描述:MOSFET 30V Dual Notebook PwrSplyNChnlPwrTrnch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDQ7238AS_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench in SO-14 Package |
| FDQ7238AS_NF40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench in SO-14 Package |
| FDQ7238AS_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench in SO-14 Package |
| FDQ7238S | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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