- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录425 > FDS2582 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS2582 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1290pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS2582DKR |
September 2002
FDS2582
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
150V, 4.1A, 66m ?
Features
? r DS(ON) = 57m ? (Typ.), V GS = 10V, I D = 4.1A
? Q g (tot) = 19nC (Typ.), V GS = 10V
? Low Miller Charge
? Low Q RR Body Diode
? Optimized efficiency at high frequencies
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82855
Applications
? DC/DC converters and Off-Line UPS
? Distributed Power Architectures and VRMs
? Primary Switch for 24V and 48V Systems
? High Voltage Synchronous Rectifier
? Direct Injection / Diesel Injection Systems
? 42V Automotive Load Control
? Electronic Valve Train Systems
Branding Dash
5
5
6
4
3
1
2
7
2
3
4
8
1
SO-8
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 ° C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
150
± 20
Units
V
V
Drain Current
Continuous (T A = 100 C, V GS = 10V, R θ JA = 50 C/W)
C
I D
E AS
P D
T J , T STG
Continuous (T A = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 50 o C/W)
o o
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
4.1
2.6
Figure 4
252
2.5
20
-55 to 150
A
A
A
mJ
W
mW/ o C
o
Thermal Characteristics
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient at 10 seconds (Note 3)
50
o
C/W
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient at 1000 seconds (Note 3)
80
o C/W
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Case (Note 2)
25
o
C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS2582
Device
FDS2582
Package
SO-8
Reel Size
330mm
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2582 Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS2670 | MOSFET N-CH 200V 3A SO-8 |
| FDS2672_F085 | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC |
| FDS2672 | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC |
| FDS2734 | MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC |
| FDS3512 | MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS2582 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2582_Q | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2670 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS2670_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。