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参数资料
| 型号： | FDS2582 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1290pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS2582DKR |
Copper Area = 1.0 in
SPICE Thermal Model
REV July 2002
FDS2582
Copper Area =1.0 in 2
CTHERM1 TH 8 4e-4
CTHERM2 8 7 5e-3
CTHERM3 7 6 6e-2
CTHERM4 6 5 9e-2
CTHERM5 5 4 3e-1
CTHERM6 4 3 4e-1
CTHERM7 3 2 9e-1
CTHERM8 2 TL 2
RTHERM1 TH 8 5e-1
RTHERM2 8 7 6e-1
RTHERM3 7 6 4
RTHERM4 6 5 5
RTHERM5 5 4 8
RTHERM6 4 3 9
RTHERM7 3 2 15
RTHERM8 2 TL 23
SABER Thermal Model
2
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
CTHERM1 TH 8 4e-4
CTHERM2 8 7 5e-3
CTHERM3 7 6 6e-2
CTHERM4 6 5 9e-2
CTHERM5 5 4 3e-1
CTHERM6 4 3 4e-1
RTHERM1
RTHERM2
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
RTHERM6
th
8
7
6
5
4
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM2
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
CTHERM6
CTHERM7 3 2 9e-1
CTHERM8 2 TL 2
3
RTHERM1 TH 8 5e-1
RTHERM2 8 7 6e-1
RTHERM3 7 6 4
RTHERM4 6 5 5
RTHERM5 5 4 8
RTHERM6 4 3 9
RTHERM7 3 2 15
RTHERM8 2 TL 23
}
RTHERM7
RTHERM8
TABLE 1. THERMAL MODELS
2
tl
CASE
CTHERM7
CTHERM8
COMPONANT
CTHERM6
CTHERM7
CTHERM8
RTHERM6
RTHERM7
RTHERM8
0.04 in 2
3.2e-1
8.5e-1
0.3
24
36
53
0.28 in 2
3.5e-1
9.0e-1
1.8
18
21
37
0.52 in 2
4.0e-1
9.0e-1
2.0
12
18
30
0.76 in 2
4.0e-1
9.0e-1
2.0
10
16
28
1.0 in 2
4.0e-1
9.0e-1
2.0
9
15
23
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2582 Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS2582 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2582_Q | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2670 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS2670_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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