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参数资料
| 型号： | FDS2582 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1290pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS2582DKR |
Typical Characteristics T A = 25 ° C unless otherwise noted
1.2
1.0
5
4
V GS = 10V
0.8
3
0.6
2
0.4
1
0.2
0
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75 100 125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
2
1
0.1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
R θ JA =50 o C/W
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
0.001
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 3
t , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
400
100
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I 25
150 - T C
125
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
10
1
V GS = 10V
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2582 Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS2582 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2582_Q | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2670 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS2670_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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