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参数资料
| 型号： | FDS2672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2535pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS2672DKR |
August 2006
FDS2672
N-Channel UltraFET Trench ? MOSFET
200V, 3.9A, 70m ?
tm
Features
Max r DS(on) = 70m ? at V GS = 10V, I D = 3.9A
Max r DS(on) = 80m ? at V GS = 6V, I D = 3.5A
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely low
r DS(on)
RoHS compliant
General Description
This single N-Channel MOSFET is produced using
Fairchild Semiconductor’s advanced UItraFET Trench ?
process that has been especially tailored to minimize
the on-state resistance and yet maintain superior switching
performance.
Application
DC-DC conversion
D
D
D
D
5
6
4
3
SO-8
7
2
Pin 1
S
S
S
G
8
1
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
200
±20
Units
V
V
I D
E AS
P D
T J , T STG
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature
(Note 1a)
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1b)
3.9
50
37.5
2.5
1.0
-55 to 150
A
mJ
W
° C
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Case
(Note 1)
25
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
50
125
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS2672
Device
FDS2672
Reel Size
13’’
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2672 Rev. B
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDS3572 | MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS2672 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET |
| FDS2672_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench?? MOSFET |
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