- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录425 > FDS2672 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS2672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2535pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS2672DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
50
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 6V
V GS = 10V
3.0
2.5
V GS = 4.5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
30
V GS = 5V
2.0
V GS = 5V
V GS = 6V
20
1.5
10
V GS = 4.5V
1.0
V GS = 10V
0
0
1 2 3
4
0.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
2.8
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
180
2.2
1.6
1.0
I D = 3.9A
V GS = 10V
160
140
120
100
80
60
I D = 3.9A PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T J = 150 o C
0.4
-50
-25 0 25 50 75 100 125
150
40
3.0
4.5
T J = 25 o C
6.0
7.5
9.0
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction
Temperature
30
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Voltage
100
25
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V DD = 10V
10
V GS = 0V
20
T J = 150 o C
1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
15
T J = 25 o C
0.1
10
5
T J = - 55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
2
3 4 5
6
1E-3
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode Forward
Voltage vs Source Current
FDS2672 Rev. B
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS2734 | MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC |
| FDS3512 | MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC |
| FDS3572 | MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC |
| FDS3580 | MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC |
| FDS3590 | MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS2672 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET |
| FDS2672_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench?? MOSFET |
| FDS2672_F085 | 功能描述:MOSFET 200V3.9A 70OHMNCH ULTRAFET TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2734 | 功能描述:MOSFET 250V 3.0A 117 OHM NCH ULTRAFE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS30 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:FUSED DISCO SW, 3P, 30A |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。