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参数资料
| 型号： | FDS2672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2535pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS2672DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
10000
f = 1MHz
8
V DD = 50V
C iss
V GS = 0V
6
V DD = 100V
V DD = 150V
1000
C oss
4
2
100
C rss
0
0
8
16 24
Q g , GATE CHARGE(nC)
32
40
10
0.1
1 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
4.0
3.5
3.0
1
T J = 25 o C
2.5
2.0
V GS = 6V
V GS = 10V
T J
= 125 o C
1.5
1.0
R θ JA = 50 C/W
0.1
0.01
0.1 1 10 100
1000
0.5
0.0
25
o
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
o
Figure 10. Ambient Continuous Drain Current vs
Case Temperature
10
10
2
1
100us
3000
1000
V GS = 10V
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
10
150 – TA
0
1ms
100
I = I 25
------------------------
125
LIMITED BY
10
10
OPERATION IN THIS
LIMITED BY r DS(on)
10
10
10
10
10
10
10
10
10
-1
PACKAGE
-2
AREA MAY BE
-3
0.01 0.1 1
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
TA = 25 O C
10
100
10ms
100ms
1s
DC
1000
10
1
-4
SINGLE PULSE
-3 -2
-1
0
1
2
3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
FDS2672 Rev. B
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS2672 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET |
| FDS2672_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench?? MOSFET |
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| FDS30 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:FUSED DISCO SW, 3P, 30A |
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