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参数资料
型号： FDS2582
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 9/11页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
产品培训模块： High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告： Mold Compound Change 12/Dec/2007
标准包装： 1
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 4.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 66 毫欧 @ 4.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1290pF @ 25V
功率 - 最大： 2.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装： 8-SOICN
包装： 标准包装
其它名称： FDS2582DKR
SABER Electrical Model
REV July 2002
template FDS2582 n2,n1,n3
electrical n2,n1,n3
{
var i iscl
dp..model dbodymod = (isl=2.4e-12,nl=1.0,rs=10.0e-3,trs1=2.1e-3,trs2=4.7e-7,cjo=9.0e-10,m=0.64,tt=3.9e-8,xti=4.6)
dp..model dbreakmod = (rs=1.0,trs1=1.4e-3,trs2=-5e-5)
dp..model dplcapmod = (cjo=2.8e-10,isl=10e-30,nl=10,m=0.64)
m..model mmedmod = (type=_n,vto=3.5,kp=4.0,is=1e-30, tox=1)
m..model mstrongmod = (type=_n,vto=4.2,kp=50,is=1e-30, tox=1)
m..model mweakmod = (type=_n,vto=2.92,kp=0.04,is=1e-30, tox=1,rs=0.1)
sw_vcsp..model s1amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-3.0,voff=-2.0)
sw_vcsp..model s1bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-2.0,voff=-3.0)
sw_vcsp..model s2amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-1.5,voff=1.0)
sw_vcsp..model s2bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=1.0,voff=-1.5)
c.ca n12 n8 = 4.5e-10
10
DPLCAP
5
RSLC1
LDRAIN
RLDRAIN
DRAIN
2
c.cb n15 n14 = 5.0e-10
c.cin n6 n8 = 1.25e-9
RSLC2
51
ISCL
spe.eds n14 n8 n5 n8 = 1
9
dp.dbody n7 n5 = model=dbodymod
dp.dbreak n5 n11 = model=dbreakmod
dp.dplcap n10 n5 = model=dplcapmod
spe.ebreak n11 n7 n17 n18 = 155.5
GATE
spe.egs n13 n8 n6 n8 = 1 1
spe.esg n6 n10 n6 n8 = 1
spe.evthres n6 n21 n19 n8 = 1
spe.evtemp n20 n6 n18 n22 = 1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
20
6
8
6
EVTHRES
+ 19 -
8
CIN
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
8
DBREAK
11
MWEAK
EBREAK
+
17
18
-
7
DBODY
LSOURCE
SOURCE
3
i.it n8 n17 = 1
RSOURCE
RLSOURCE
l.lgate n1 n9 = 5.61e-9
l.ldrain n2 n5 = 1e-9
l.lsource n3 n7 = 1.98e-9
12
S1A
S1B
13
8
S2A
14
13
S2B
15
17
RBREAK
18
RVTEMP
res.rlgate n1 n9 = 56.1
res.rldrain n2 n5 = 10
res.rlsource n3 n7 = 19.8
CA
13
+
EGS
6
8
CB
+
EDS
5
8
14
IT
19
-
VBAT
+
m.mmed n16 n6 n8 n8 = model=mmedmod, l=1u, w=1u
m.mstrong n16 n6 n8 n8 = model=mstrongmod, l=1u, w=1u
-
-
8
RVTHRES
22
m.mweak n16 n21 n8 n8 = model=mweakmod, l=1u, w=1u
res.rbreak n17 n18 = 1, tc1=1.1e-3,tc2=-1.0e-8
res.rdrain n50 n16 = 30.0e-3, tc1=1.15e-2,tc2=3.0e-5
res.rgate n9 n20 = 1.5
res.rslc1 n5 n51 = 1e-6, tc1=4.4e-3,tc2=2.9e-6
res.rslc2 n5 n50 = 1e3
res.rsource n8 n7 = 20.0e-3, tc1=1e-3,tc2=1e-6
res.rvthres n22 n8 = 1, tc1=-3.9e-3,tc2=-1.6e-5
res.rvtemp n18 n19 = 1, tc1=-3.5e-3,tc2=1.5e-6
sw_vcsp.s1a n6 n12 n13 n8 = model=s1amod
sw_vcsp.s1b n13 n12 n13 n8 = model=s1bmod
sw_vcsp.s2a n6 n15 n14 n13 = model=s2amod
sw_vcsp.s2b n13 n15 n14 n13 = model=s2bmod
v.vbat n22 n19 = dc=1
equations {
i (n51->n50) +=iscl
iscl: v(n51,n50) = ((v(n5,n51)/(1e-9+abs(v(n5,n51))))*((abs(v(n5,n51)*1e6/60))** 2.5))
}
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2582 Rev. B
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