- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录425 > FDS2572 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS2572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS2572DKR |
July 2013
FDS2572
150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET ? Trench MOSFET
General Description
Features
UltraFET
?
devices combine characteristics that enable
? R DS(ON) = 0.040 ? (Typ.), V GS = 10V
benchmark efficiency in power conversion applications.
Optimized for Rds(on), low ESR, low total and Miller gate
charge, these devices are ideal for high frequency DC to
DC converters.
Applications
? Q g(TOT) = 29nC (Typ.), V GS = 10V
? Low Q RR Body Diode
? Maximized efficiency at high frequencies
? UIS Rated
?
?
?
?
DC/DC converters
Telecom and Data-Com Distributed Power Architectures
48-volt I/P Half-Bridge/Full-Bridge
24-volt Forward and Push-Pull topologies
D D
D D
D D
D D
5
6
4
3
S S S
S S G
SO-8
Pin 1 SO-8
S
G
7
8
2
1
MOSFET Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
150
± 20
Units
V
V
Drain Current
I D
P D
Continuous (T C = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 50 o C/W)
Continuous (T C = 100 o C, V GS = 10V, R θ JA = 50 o C/W)
Pulsed
Power dissipation
Derate above 25 o C
4.9
3.1
Figure 4
2.5
20
A
A
A
W
mW/ o C
T J , T STG
Operating and Storage Temperature
-55 to 150
o
C
Thermal Characteristics
C/W
C/W
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case
Thermal Resistance Junction to Case at 10 seconds
Thermal Resistance Junction to Case at steady state
(NOTE1)
(NOTE2)
(NOTE2)
25
50
85
o
o C/W
o
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS2572
Device
FDS2572
Reel Size
330mm
Tape Width
12mm
Quantity
2500units
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2572 Rev. C, July 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS2582 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC |
| FDS2670 | MOSFET N-CH 200V 3A SO-8 |
| FDS2672_F085 | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC |
| FDS2672 | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC |
| FDS2734 | MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS2572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2572_Q | 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2582 | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2582 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2582_Q | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。