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参数资料
| 型号： | FDS2572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS2572DKR |
SPICE Thermal Model
REV August 2001
FDS2572
Copper Area = 1 in 2
CTHERM1 TH 8 2.0e-3
CTHERM2 8 7 5.0e-3
CTHERM3 7 6 1.0e-2
CTHERM4 6 5 4.0e-2
CTHERM5 5 4 9.0e-2
CTHERM6 4 3 2.0e-1
CTHERM7 3 2 1
CTHERM8 2 TL 3
RTHERM1 TH 8 1.0e-1
RTHERM2 8 7 5.0e-1
RTHERM3 7 6 1
RTHERM4 6 5 5
RTHERM5 5 4 8
RTHERM6 4 3 12
RTHERM7 3 2 18
RTHERM8 2 TL 25
SABER Thermal Model
Copper Area = 1 in 2
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th c2 =2.0e-3
ctherm.ctherm2 c2 c3 =5.0e-3
ctherm.ctherm3 c3 c4 =1.0e-2
ctherm.ctherm4 c4 c5 =4.0e-2
ctherm.ctherm5 c5 c6 =9.0e-2
ctherm.ctherm6 c6 c7 =2.0e-1
ctherm.ctherm7 c7 c8 =1
ctherm.ctherm8 c8 tl =3
rtherm.rtherm1 th c2 =1.0e-1
rtherm.rtherm2 c2 c3 =5.0e-1
rtherm.rtherm3 c3 c4 =1
rtherm.rtherm4 c4 c5 =5
rtherm.rtherm5 c5 c6 =8
rtherm.rtherm6 c6 c7 =12
rtherm.rtherm7 c7 c8 =18
rtherm.rtherm8 c8 tl =25
}
RTHERM1
RTHERM2
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
RTHERM6
RTHERM7
RTHERM8
TABLE 1. THERMAL MODELS
th
8
7
6
5
4
3
2
tl
JUNCTION
CASE
CTHERM1
CTHERM2
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
CTHERM6
CTHERM7
CTHERM8
COMPONANT
CTHERM6
CTHERM7
CTHERM8
RTHERM6
RTHERM7
RTHERM8
0.04 in 2
1.2e-1
0.5
1.3
26
39
55
0.28 in 2
1.5e-1
1.0
2.8
20
24
38.7
0.52 in 2
2.0e-1
1.0
3.0
15
21
31.3
0.76 in 2
2.0e-1
1.0
3.0
13
19
29.7
1.0 in 2
2.0e-1
1.0
3.0
12
18
25
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2572 Rev. C, July 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDS2572_Q | 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2582 | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2582 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2582_Q | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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