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参数资料
| 型号： | FDS2572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS2572DKR |
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDS2572 2 1 3 ;
CA 12 8 8e-10
rev August 2001
Cb 15 14 8e-10
Cin 6 8 2e-9
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
10
DPLCAP
5
RSLC1
51
DBREAK
LDRAIN
RLDRAIN
DRAIN
2
RSLC2
9
19
ESLC
Ebreak 11 7 17 18 157.4
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 5.61e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 1.98e-9
GATE
1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
20
6
8
6
EVTHRES
+ -
8
CIN
5
51
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
8
11
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
7
DBODY
LSOURCE
SOURCE
3
RLgate 1 9 56.1
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 19.8
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
12
S1A
13
8
S2A
14
13
15
RSOURCE
RBREAK
17
18
RLSOURCE
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
S1B
S2B
RVTEMP
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
CA
13
+
CB
+
14
IT
-
19
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 2.1e-2
EGS
6
8
EDS
5
8
+
VBAT
Rgate 9 20 1.47
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
-
-
8
RVTHRES
22
Rsource 8 7 RsourceMOD 1.5e-2
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*65),3))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=4e-11 N=1.131 RS=4.4e-3 TRS1=2e-3 TRS2=1e-6
+ CJO=1.44e-9 M=0.67 TT=7.4e-8 XTI=4.2)
.MODEL DbreakMOD D (RS=0.38 TRS1=2e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=5e-10 IS=1e-30 N=10 M=0.7)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.05 KP=85 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.35 KP=5 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=1.47)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=2.76 KP=0.05 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=14.7 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1.1e-3 TC2=-3e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1e-2 TC2=3e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=3e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=4.5e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-5e-3 TC2=2e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-3e-3 TC2=-1.4e-5)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-10 VOFF=-2)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2 VOFF=-10)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.8 VOFF=0.3)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.3 VOFF=-0.8)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2572 Rev. C, July 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS2572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2572_Q | 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2582 | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2582 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2582_Q | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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