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参数资料
| 型号： | FDS2572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS2572DKR |
SABER Electrical Model
REV August 2001
template FDS2572 n2,n1,n3
electrical n2,n1,n3
{
var i iscl
dp..model dbodymod = (isl=4e-11,nl=1.131,rs=4.4e-3,trs1=2e-3,trs2=1e-6,cjo=1.44e-9,m=0.67,tt=7.4e-8,xti=4.2)
dp..model dbreakmod = (rs=0.38,trs1=2e-3,trs2=-8.9e-6)
dp..model dplcapmod = (cjo=5e-10,isl=10e-30,nl=10,m=0.7)
m..model mstrongmod = (type=_n,vto=4.05,kp=85,is=1e-30, tox=1)
m..model mmedmod = (type=_n,vto=3.35,kp=5,is=1e-30, tox=1)
m..model mweakmod = (type=_n,vto=2.76,kp=0.05,is=1e-30, tox=1,rs=0.1)
sw_vcsp..model s1amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-10,voff=-2)
sw_vcsp..model s1bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-2,voff=-10)
sw_vcsp..model s2amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-0.8,voff=0.3)
sw_vcsp..model s2bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=0.3,voff=-0.8)
c.ca n12 n8 = 8e-10
c.cb n15 n14 = 8e-10
c.cin n6 n8 = 2e-9
10
DPLCAP
5
RSLC1
51
LDRAIN
RLDRAIN
DRAIN
2
dp.dbody n7 n5 = model=dbodymod
dp.dbreak n5 n11 = model=dbreakmod
RSLC2
ISCL
dp.dplcap n10 n5 = model=dplcapmod
-
50
DBREAK
ESG 8
9
20
spe.ebreak n11 n7 n17 n18 = 157.4
spe.eds n14 n8 n5 n8 = 1
spe.egs n13 n8 n6 n8 = 1
spe.esg n6 n10 n6 n8 = 1
spe.evthres n6 n21 n19 n8 = 1
spe.evtemp n20 n6 n18 n22 = 1
i.it n8 n17 = 1
GATE
1
LGATE
RLGATE
6
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
6
EVTHRES
+ 19 -
8
CIN
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
8
11
MWEAK
EBREAK
+
17
18
-
7
DBODY
LSOURCE
SOURCE
3
l.lgate n1 n9 = 5.61e-9
RSOURCE
RLSOURCE
13
l.ldrain n2 n5 = 1.0e-9
l.lsource n3 n7 = 1.98e-9
S1A
12
8
S2A
14
13
15
17
RBREAK
18
res.rlgate n1 n9 = 56.1
res.rldrain n2 n5 = 10 CA
res.rlsource n3 n7 = 19.8
m.mstrong n16 n6 n8 n8 = model=mstrongmod, l=1u, w=1u
m.mmed n16 n6 n8 n8 = model=mmedmod, l=1u, w=1u
S1B
13
+
EGS
-
6
8
S2B
CB
+
EDS
-
5
8
14
8
IT
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
m.mweak n16 n21 n8 n8 = model=mweakmod, l=1u, w=1u
res.rbreak n17 n18 = 1, tc1=1.1e-3,tc2=-3e-7
res.rdrain n50 n16 = 2.1e-2, tc1=1e-2,tc2=3e-5
res.rgate n9 n20 = 1.47
res.rslc1 n5 n51 = 1e-6, tc1=3e-3,tc2=1e-6
res.rslc2 n5 n50 = 1e3
res.rsource n8 n7 = 1.5e-2, tc1=4.5e-3,tc2=1e-6
res.rvthres n22 n8 = 1, tc1=-3e-3,tc2=-1.4e-5
res.rvtemp n18 n19 = 1, tc1=-5e-3,tc2=2e-6
sw_vcsp.s1a n6 n12 n13 n8 = model=s1amod
sw_vcsp.s1b n13 n12 n13 n8 = model=s1bmod
sw_vcsp.s2a n6 n15 n14 n13 = model=s2amod
sw_vcsp.s2b n13 n15 n14 n13 = model=s2bmod
v.vbat n22 n19 = dc=1
equations {
i (n51->n50) +=iscl
iscl: v(n51,n50) = ((v(n5,n51)/(1e-9+abs(v(n5,n51))))*((abs(v(n5,n51)*1e6/65))** 3))
}
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
RVTHRES
FDS2572 Rev. C, July 2013
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| FDS2582_Q | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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