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参数资料
| 型号： | FDS2572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS2572DKR |
Typical Characteristic (Continued)
5000
C ISS = C GS + C GD
10
V DD = 75V
8
1000
C OSS ? C DS + C GD
6
C RSS = C GD
100
4
WAVEFORMS IN
2
DESCENDING ORDER:
10
0.1
V GS = 0V, f = 1MHz
1
10
150
0
0
5
10
15
20
I D = 4.9A
I D = 1A
25
30
35
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Test Circuits and Waveforms
V DS
L
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 12. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
BV DSS
t P
V DS
I AS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
V GS
R G
DUT
+
-
V DD
V DD
0V
t P
I AS
0
0.01 ?
t AV
Figure 13. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 14. Unclamped Energy Waveforms
V DS
D1
V DD
Q g(TOT)
V DS
L
V GS = 10V
V GS
+
I g(REF)
DUT
-
V DD
0
V GS
V GS = 2V
Q gs2
Q g(TH)
I g(REF)
0
Q gs
Q gd
Figure 15. Gate Charge Test Circuit
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Figure 16. Gate Charge Waveforms
FDS2572 Rev. C, July 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS2582 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC |
| FDS2670 | MOSFET N-CH 200V 3A SO-8 |
| FDS2672_F085 | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC |
| FDS2672 | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC |
| FDS2734 | MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS2572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2572_Q | 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2582 | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2582 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2582_Q | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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