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参数资料
| 型号： | FDS2572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS2572DKR |
MS-012AA
8 LEAD JEDEC MS-012AA SMALL OUTLINE PLASTIC PACKAGE
INCHES
MILLIMETERS
E
E 1
e
A
A 1
SYMBOL
A
MIN
0.0532
MAX
0.0688
MIN
1.35
MAX
1.75
NOTES
-
A 1
0.004
0.0098
0.10
0.25
-
D
b
0.013
0.020
0.33
0.51
-
h x 45 o
b
c
D
E
0.0075
0.189
0.2284
0.0098
0.1968
0.244
0.19
4.80
5.80
0.25
5.00
6.20
-
2
-
c
E 1
0.1497
0.1574
3.80
4.00
3
L
0.004 IN
0.10 mm
e
0.050 BSC
1.27 BSC
-
0.060
1.52
0 o -8 o
H
L
0.0099
0.016
0.0196
0.050
0.25
0.40
0.50
1.27
-
4
NOTES:
0.050
1.27
1. All dimensions are within allowable dimensions of
Rev. C of JEDEC MS-012AA outline dated 5-90.
2. Dimension “D” does not include mold flash, protru-
0.155
4.0
0.275
7.0
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT FOR
SURFACE-MOUNTED APPLICATIONS
0.024
0.6
sions or gate burrs. Mold flash, protrusions or gate
burrs shall not exceed 0.006 inches (0.15mm) per
side.
3. Dimension “E 1 ” does not include inter-lead flash or
protrusions. Inter-lead flash and protrusions shall
not exceed 0.010 inches (0.25mm) per side.
4. “L” is the length of terminal for soldering.
5. The chamfer on the body is optional. If it is not
present, a visual index feature must be located with-
in the crosshatched area.
6. Controlling dimension: Millimeter.
7. Revision 8 dated 5-99.
MS-012AA
12mm TAPE AND REEL
1.5mm
DIA. HOLE
4.0mm
USER DIRECTION OF FEED
2.0mm
1.75mm
C L
12mm
8.0mm
40mm MIN.
ACCESS HOLE
COVER TAPE
GENERAL INFORMATION
1. 2500 PIECES PER REEL.
2. ORDER IN MULTIPLES OF FULL REELS ONLY.
330mm
18.4mm
13mm
50mm
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
3. MEETS EIA-481 REVISION “A” SPECIFICATIONS.
12.4mm
FDS2572 Rev. C, July 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS2582 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC |
| FDS2670 | MOSFET N-CH 200V 3A SO-8 |
| FDS2672_F085 | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC |
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| FDS2734 | MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS2572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2572_Q | 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2582 | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2582 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2582_Q | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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