参数资料
型号: FDS2672_F085
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
产品变化通告: Product Obsolescence 13/Aug/2010
标准包装: 2,500
系列: UltraFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 70 毫欧 @ 3.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2535pF @ 100V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
P DM
t 1
1E-3
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
10
10
10
10
1E-4
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b
Transient thermal response will change depending on the circuit board design
FDS2672 _F085 Rev. A
5
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