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参数资料
| 型号： | FDS3580 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 7.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS3580FSDKR |
Typical Characteristics
60
V GS = 10V
2
50
6.0V
5.0V
1.8
40
30
4.5V
1.6
1.4
V GS = 4.0V
4.5V
5.0V
20
4.0V
1.2
6.0V
7.0V
10V
10
0
3.5V
1
0.8
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
60
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
2
0.06
I D , DIRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 7.6A
V GS = 10V
0.05
0.04
0.03
T A = 125 o C
I D = 3.8A
1
0.8
0.6
0.4
0.02
0.01
0
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3
4
5
6
7
8
9
10
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
100
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
125 C
50
40
V DS = 5V
T A = -55 o C
25 o C
o
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
25 o C
30
20
10
0
0.1
0.01
0.001
0.0001
-55 o C
2
3
4
5
6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current
and Temperature.
FDS3580 Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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