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参数资料
| 型号： | FDS3580 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 7.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS3580FSDKR |
Typical Characteristics
10
(continued)
2400
8
I D = 7.6A
V DS = 10V
40V
20V
2000
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
1600
6
1200
4
800
2
0
400
0
C OSS
C RSS
0
5
10
15
20
25
30
35
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
100
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
1ms
10ms
40
SINGLE PULSE
R θ JA =125°C/W
T A = 25°C
100ms
30
1
1s
10s
V GS = 10V
DC
20
0.1
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10
0.01
0.1
1
10
100
0
0.001
0.01
0.1 1 10
100
300
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.0 05
0.2
0.1
0 0 . 5
0.0 2
0.01
S i n g le P ul s e
R θ J A (t) = r(t) * R θ J A
R θ J A = 125°C /W
P(pk )
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA ( ) t
D u t y C y c l e, D = t 1 /t 2
0.0 02
0.0 01
0.0001
0.0 01
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TI M E (s e c )
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDS3580 Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDS3692 | MOSFET N-CH 100V 4.5A SO-8 |
| FDS3890 | MOSFET N-CH DUAL 80V 4.7A SO-8 |
| FDS3992 | MOSFET N-CH DUAL 100V 4.5A SO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDS3601 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS3601N | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.3A I(D) | SO |
| FDS3612 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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