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参数资料
| 型号： | FDS4435BZ_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 8.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1845pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
6
I D = -8.8A
V DD = -10V
4000
1000
C iss
4
2
V DD = -15V
V DD = -20V
f = 1MHz
C oss
C rss
0
0
5
10
15
20
25
30
100
0.1
V GS = 0V
1
10
30
10
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
-4
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V DS = 0V
10
10
10
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
-5
-6
-7
T J = 125 o C
10
T J = 25 o C
-8
10
1
0.01
0.1
1
10
30
-9
0
5
10
15
20
25
30
10
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE(V)
Figure 10. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
100
8
6
V GS = -10V
10
1
100us
1ms
10ms
R T JA = 50 C/W
R T JA = 125 C/W
4
2
o
V GS = -4.5V
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
100ms
1s
10s
DC
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
80
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
o
Figure 11. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Forward Bias Safe
Operating Area
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS4435BZ _F085 Rev. A
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4435 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC |
| FDS4465_F085 | MOSFET P-CH 20V 8-SOIC |
| FDS4465 | MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC |
| FDS4470 | MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC |
| FDS4480 | MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4465 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4465 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SMD 8-SOIC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, P, SMD, 8-SOIC |
| FDS4465 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS4465_F085 | 功能描述:MOSFET SO-8SNGLPCH20V/8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4465_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P-CHANNEL 1.8V SPECIFIED POWERTRENCH?? M 制造商:Fairchild 功能描述:P-Channel 1.8V Specified PowerTrenchR MOSFET |
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