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参数资料
| 型号： | FDS4470 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2659pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS4470FSDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max Units
Drain-Source Avalanche Ratings (Note 2)
E AS
I AS
Drain-Source Avalanche Energy
Drain-Source Avalanche Current
Single Pulse, V DD =40V, I D =12.5A
370
12.5
mJ
A
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DSS
Δ T J
Drain–Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
40
42
V
mV/ ° C
I DSS
I GSSF
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate–Body Leakage, Forward
V DS = 32 V,
V GS = 30 V,
V GS = 0 V
V DS = 0 V
1
100
μ A
nA
I GSSR
Gate–Body Leakage, Reverse
V GS = –20 V, V DS = 0 V
–100
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
Δ V GS(th)
Δ T J
R DS(on)
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Static Drain–Source On–Resistance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
V GS = 10 V, I D = 12.5 A
V GS = 10 V, I D = 12.5 A,T J =125 ° C
2
3.9
–8
6
9
5
9
14
V
mV/ ° C
m Ω
I D(on)
g FS
On–State Drain Current
Forward Transconductance
V GS = 10 V,
V DS = 10 V,
V DS = 5 V
I D = 12.5 A
25
45
A
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 20 V,
f = 1.0 MHz
V GS = 0 V,
2659
605
298
pF
pF
pF
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Turn–On Delay Time
Turn–On Rise Time
Turn–Off Delay Time
Turn–Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate–Source Charge
V DD = 20 V,
V GS = 10 V,
V DS = 20 V,
V GS = 10 V
I D = 1 A,
R GEN = 6 Ω
I D = 12.5 A,
14
12
37
29
45
11.2
25
22
59
46
63
ns
ns
ns
ns
nC
nC
Q gd
Gate–Drain Charge
11
nC
FDS4470 Rev D1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| FDS4480 | MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4470 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:40V/30/20V 9MO NCH SINGLE SO8 1000A |
| FDS4470_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS4470_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4480 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4480_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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