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参数资料
| 型号： | FDS4470 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2659pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS4470FSDKR |
Typical Characteristics
80
V GS = 10V
5.5V
2
70
60
50
40
6.0V
5.0V
1.8
1.6
1.4
V GS = 5.0V
5.5V
30
20
10
4.5V
1.2
1
6.0V
7.0V
8.0V
10V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.8
0
20
40
60
80
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.019
1.8
1.6
1.4
1.2
1
I D = 12.5A
V GS = 10V
0.016
0.013
0.01
T A = 125 o C
I D = 6.3A
0.8
0.007
0.6
0.4
0.004
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
90
75
60
45
30
15
0
o
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
V DS = 5V
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
T A = 125 o C
1
25 o C
0.1
-55 o C
0.01
0.001
0.0001
2.5
3.5
4.5
5.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS4470 Rev D1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4480 | MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC |
| FDS4488 | MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC |
| FDS4501H | MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOIC |
| FDS4559 | MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A SO-8 |
| FDS4672A | MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4470 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:40V/30/20V 9MO NCH SINGLE SO8 1000A |
| FDS4470_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS4470_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4480 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4480_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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