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参数资料
| 型号： | FDS4559 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A，3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4559DKR |
April 2002
FDS4559
60V Complementary PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This complementary MOSFET device is produced using
?
Q1 : N-Channel
Fairchild’s advanced PowerTrench process that has
been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain low gate charge for
superior switching performance.
4.5 A, 60 V
R DS(on) = 55 m ? @ V GS = 10V
R DS(on) = 75 m ? @ V GS = 4.5V
Applications
? DC/DC converter
? Power management
? LCD backlight inverter
?
Q2 : P-Channel
–3.5 A, –60 V R DS(on) = 105 m ? @ V GS = –10V
R DS(on) = 135 m ? @ V GS = –4.5V
D D1
D D2
D D2
D D1
5
6
Q2
Q1
4
3
SO-8
Pin 1 SO-8
G2
S2 G
G1 S
S1 S
S
7
8
2
1
Absolute Maximum Ratings
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Q1
60
± 20
Q2
–60
± 20
Units
V
V
I D
Drain Current
- Continuous
(Note 1a)
4.5
–3.5
A
- Pulsed
20
–20
P D
Power Dissipation for Dual Operation
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
2
1.6
1.2
1
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +175
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
40
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS4559
Device
FDS4559
Reel Size
13”
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS4559 Rev C1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4672A | MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC |
| FDS4675_F085 | MOSFET P-CH 40V 8-SOIC |
| FDS4675 | MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC |
| FDS4897AC | MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8 |
| FDS4897C | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4559 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS4559_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V Complementary PowerTrench???MOSFET |
| FDS4559_F085 | 功能描述:MOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4672A | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4672A_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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