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参数资料
| 型号： | FDS4559 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A，3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4559DKR |
Typical Characteristics: Q2
10
1200
8
I D = -3.0A
V DS = 10V
20V
1000
f = 1 MHz
V GS = 0 V
6
30V
800
C ISS
600
4
400
2
200
C RSS
C OSS
0
0
0
4
8
12
16
0
10
20
30
40
50
60
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
40
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
30
R θ JA = 135°C/W
T A = 25°C
10ms
1
100ms
1s
20
0.1
V GS = -10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 o C/W
DC
10s
10
T A = 25 o C
0.01
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
FDS4559 Rev C1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4672A | MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC |
| FDS4675_F085 | MOSFET P-CH 40V 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4559 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS4559_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V Complementary PowerTrench???MOSFET |
| FDS4559_F085 | 功能描述:MOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4672A | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4672A_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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