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参数资料
| 型号： | FDS4897AC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.1A，5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1055pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4897ACDKR |
October 2008
FDS4897AC
Dual N & P-Channel PowerTrench ? MOSFET
N-Channel: 40 V, 6.1 A, 26 m ? P-Channel: -40 V, -5.2 A, 39 m ?
Features
Q1: N-Channel
Max r DS(on) = 26 m ? at V GS = 10 V, I D = 6.1 A
Max r DS(on) = 31 m ? at V GS = 4.5 V, I D = 5.6 A
Q2: P-Channel
Max r DS(on) = 39 m ? at V GS = -10 V, I D = -5.2 A
Max r DS(on) = 65 m ? at V GS = -4.5 V, I D = -4.1 A
100% UIL Tested
RoHS Compliant
D2
General Description
These dual N- and P-Channel MOSFETs are produced using
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench ? process
that has been especially tailored to minimize on-state resistance
and yet maintain superior switching performance.
Applications
Inverter
Power Supplies
D1
D1
D2
G2
D2
D2
D1
5
6
7
Q2
Q1
4
3
2
G2
S2
G1
S2
G1
D1
8
1
S1
Pin 1
S1
SO-8
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
I D
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current - Continuous
- Pulsed
Parameter
Q1
40
±20
6.1
24
Q2
-40
±20
-5.2
-24
Units
V
V
A
Power Dissipation for Dual Operation
2.0
P D
Power Dissipation for Single Operation
T A = 25 °C (Note 1a)
1.6
W
T A = 25 °C (Note 1b)
0.9
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
37
73
mJ
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Case,
Thermal Resistance, Junction to Ambient,
(Note 1)
(Note 1a)
40
78
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS4897AC
Device
FDS4897AC
Package
SO-8
Reel Size
13 ”
Tape Width
12 mm
Quantity
2500 units
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS4897AC Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4897C | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| FDS4935A | MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC |
| FDS4935BZ | IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| FDS5351 | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC |
| FDS5670 | MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4897C | 功能描述:MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935 | 功能描述:MOSFET 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS4935A_Q | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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