- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录426 > FDS4897AC (Fairchild Semiconductor)MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS4897AC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.1A，5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1055pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4897ACDKR |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DS S
? T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = -250 μ A, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = -250 μ A, referenced to 25 °C
V DS = 32 V, V GS = 0 V
V DS = -32 V, V GS = 0 V
V GS = ±20 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
40
-40
37
-32
1
-1
±100
±100
V
mV/°C
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
? V GS(th)
? T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = -250 μ A
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = -250 μ A, referenced to 25 °C
Q1
Q2
Q1
Q2
1.5
-1.5
2.0
-2.0
-6
6
3.0
-3.0
V
mV/°C
V GS = 10 V, I D = 6.1 A
20
26
V GS = 4.5 V, I D = 5.6 A
Q1
24
31
r DS(on)
Static Drain to Source On Resistance
V GS = 10 V, I D = 6.1 A, T J = 125 °C
V GS = -10 V, I D = -5.2 A
V GS = -4.5 V, I D = -4.1 A
Q2
30
28
45
39
39
65
m ?
V GS = -10 V, I D = -5.2 A, T J = 125 °C
41
57
g FS
Forward Transconductance
V DD = 5 V, I D = 6.1 A
V DD = -5 V, I D = -5.2 A
Q1
Q2
24
14
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R g
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Q1
V DS = 20 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q2
V DS = -20 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
795
765
95
135
65
80
1.7
3.6
1055
1015
130
180
100
120
pF
pF
pF
?
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(TOT)
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Q1
V DD = 20 V, I D = 6.1 A,
V GS = 10 V, R GEN = 6 ?
Q2
V DD = -20 V, I D = -5.2 A,
V GS = -10 V, R GEN = 6 ?
Q1
V GS = 10 V, V DD = 20 V, I D = 6.1 A
Q2
V GS = -10 V, V DD = -20 V, I D = -5.2 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
6
8
2
3
17
17
2
3
15
15
2.5
2.6
2.9
3.2
12
15
10
10
30
30
10
10
21
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS4897AC Rev.C
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4897C | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| FDS4935A | MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC |
| FDS4935BZ | IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| FDS5351 | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC |
| FDS5670 | MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4897C | 功能描述:MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935 | 功能描述:MOSFET 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS4935A_Q | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。