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参数资料
| 型号： | FDS4897AC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.1A，5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1055pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4897ACDKR |
Typical Characteristics (Q2 P-Channel) T J = 25 °C unless otherwise noted
10
2000
8
I D = -5.2 A
V DD = -15 V
1000
C iss
6
4
2
V DD = -20 V
V DD = -25 V
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C oss
C rss
0
0
4
8
12
16
10
0.1
1
10
40
R θ JA = 78 C/W
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 21. Gate Charge Characteristics
10
9
8
7
6
5
4
3
T J = 25 o C
2
T J = 125 o C
1
6
5
4
3
2
1
0
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 22. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = -10 V
V GS = -4.5 V
o
0.1
1
10
40
25
50
75
100
125
150
T C , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
30
10
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 23. Unclamped Inductive
Switching Capability
100 us
o
Figure 24. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
1000
V GS = -10 V
1 ms
100
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 C/W
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r ds(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
10 ms
100 ms
1s
10
o
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
1
10
10 s
DC
100 200
1
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 25. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 26. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS4897AC Rev.C
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4897C | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| FDS4935A | MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC |
| FDS4935BZ | IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| FDS5351 | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC |
| FDS5670 | MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4897C | 功能描述:MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935 | 功能描述:MOSFET 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS4935A_Q | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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