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参数资料
| 型号： | FDS4897AC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.1A，5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1055pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4897ACDKR |
Typical Characteristics (Q2 P-Channel) T J = 25 °C unless otherwise noted
24
20
V GS = -10 V
V GS = -5 V
5
V GS = -3.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
16
V GS = -4.5 V
V GS = - 4 V
4
V GS = -4 V
12
8
4
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = -3.5 V
3
2
V GS = -4.5 V
V GS = -5 V
1
0
0.5
V GS = -10 V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
4
8 12 16
20
24
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. On- Region Characteristics
1.8
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 16. Normalized on-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
120
1.6
I D = -5.2 A
V GS = -10 V
100
I D = -5.2 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.4
80
1.2
60
1.0
0.8
40
T J = 25 o C
T J = 125 o C
0.6
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
20
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 17. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
24
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
40
10
V GS = 0 V
V DS = -5 V
16
1
T J = 150 o C
12
T J = 150 o C
0.1
T J = 25 o C
8
4
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
0.001
1
2
3
4
5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 19. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 20. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS4897AC Rev.C
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4897C | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| FDS4935A | MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC |
| FDS4935BZ | IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| FDS5351 | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC |
| FDS5670 | MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4897C | 功能描述:MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935 | 功能描述:MOSFET 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS4935A_Q | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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