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参数资料
| 型号： | FDS4559 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A，3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4559DKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min
Typ Max Units
Drain-Source Avalanche Ratings (Note 1)
W DSS
Single Pulse Drain-Source
V DD = 30 V,
I D = 4.5 A
Q1
90
mJ
Avalanche Energy
I AR
Maximum Drain-Source
Q1
4.5
A
Avalanche Current
Off Characteristics
BV DSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V GS = 0 V, I D = –250 μA
Q1
Q2
60
–60
V
? BV DSS
? T J
I DSS
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain
I D = 250 μA, Referenced to 25 ° C
I D = –250 μA, Referenced to 25 ° C
V DS = 48 V, V GS = 0 V
Q1
Q2
Q1
58
–49
1
mV/ ° C
μ A
Current
V DS = –48 V, V GS = 0 V
Q2
–1
I GSS
Gate-Body Leakage
V GS = +20 V, V DS = 0 V
Q1
+100
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS = +20 V, V DS = 0 V
Q2
+100
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μA
Q1
1
2.2
3
V
V DS = V GS , I D = –250 μA
Q2
–1
–1.6
–3
? V GS(th)
? T J
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
I D = 250 μA, Referenced to 25 ° C
I D = –250 μA, Referenced to 25 ° C
Q1
Q2
–5.5
4
mV/ ° C
R DS(on)
Static Drain-Source
On-Resistance
V GS = 10 V, I D = 4.5 A
V GS = 10 V, I D = 4.5 A, T J = 125 ° C
Q1
42
72
55
94
m ?
V GS = 4.5 V, I D = 4 A
55
75
V GS = –10 V, I D = –3.5 A
V GS = –10 V, I D = –3.5 A, T J = 125 ° C
V GS = –4.5 V, I D = –3.1 A
Q2
82
130
105
105
190
135
I D(on)
On-State Drain Current
V GS = 10 V, V DS = 5 V
Q1
20
A
V GS = –10 V, V DS = –5 V
Q2
–20
g FS
Forward Transconductance
V DS = 10 V, I D = 4.5 A
Q1
14
S
Dynamic Characteristics
V DS = –5 V, I D = –3 5 A
Q2
9
C iss
Input Capacitance
Q1
Q1
650
pF
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
Q2
759
C oss
Output Capacitance
f = 1.0 MHz
Q1
80
pF
Q2
Q2
90
C rss
Reverse Transfer
Capacitance
V DS = –30 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
Q1
Q2
35
39
pF
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Q1
V DD = 30 V, I D = 1 A,
V GS = 10V, R GEN = 6 ?
Q1
Q2
Q1
11
7
8
20
14
18
ns
ns
Q2
10
20
t d(off)
t f
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Q2
V DD = –30 V, I D = –1 A,
V GS = –10 V, R GEN = 6 ?
Q1
Q2
Q1
19
19
6
35
34
15
ns
ns
Q2
12
22
Q g
Total Gate Charge
Q1
Q1
12.5
18
nC
V DS = 30 V, I D = 4.5 A, V GS = 10 V
Q2
15
21
Q gs
Gate-Source Charge
Q2
Q1
Q2
2.4
2.5
nC
Q gd
Gate-Drain Charge
V DS = –30 V, I D = –3.5 A, V GS = –10V
Q1
2.6
nC
Q2
3.0
FDS4559 Rev C1(W)
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参数描述 |
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| FDS4559_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V Complementary PowerTrench???MOSFET |
| FDS4559_F085 | 功能描述:MOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDS4672A_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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