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参数资料
| 型号： | FDS4559 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A，3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4559DKR |
Typical Characteristics: Q1
20
V GS = 10V
1.8
16
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
1.6
V GS = 4.0V
12
1.4
4.5V
5.0V
8
1.2
6.0V
4
0
3.5V
1
0.8
8.0V
10V
0
1
2
3
4
0
4
8
12
16
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
2.2
2
I D = 4.5A
V GS = 10V
0.14
0.12
I D = 2.3A
1.8
0.1
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.08
0.06
0.04
0.02
T A = 125 o C
T A = 25 o C
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 13. On-Resistance Variation with
Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
20
V DS = 5V
T A = -55 o C
25 o C
100
V GS = 0V
10
125 C
16
o
12
1
0.1
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
8
4
0.01
0.001
0
1
2
3
4
5
6
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 16. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS4559 Rev C1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDS4559 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS4559_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V Complementary PowerTrench???MOSFET |
| FDS4559_F085 | 功能描述:MOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDS4672A_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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