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参数资料
| 型号： | FDS4675 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4350pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4675DKR |
Typical Characteristics
5
4
I D = -11A
V DS = -10V
-30V
-20V
6000
5000
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
4000
3
3000
2
2000
1
1000
C OSS
0
0
C RSS
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
-V D S , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
100
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100 μ s
50
40
SINGLE PULSE
R θ JA = 125°C/W
T A = 25°C
100ms
1s
30
1
V GS = -4.5V
DC
10s
20
T A = 25 C
0.1
0.01
SINGLE PULSE
o
R θ JA = 125 C/W
o
10
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
-V D S , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
o
R θ JA = 125 C/W
P(pk)
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS4675 Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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