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参数资料
| 型号： | FDS4935BZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Die Revision 05/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1360pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4935BZDKR |
Typical Characteristics
50
3
40
V GS = -10V
-5.0V
-4.5V
2.6
V GS = -3.5V
-6.0V
2.2
30
-4.0V
1.8
-4.0V
20
-3.5V
1.4
-4.5V
-5.0V
-6.0V
10
1
-8.0V
-10V
-3.0V
0
0.6
0
1 2 3
4
0
10
20 30
40
50
1.6
1.4
1.2
1
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D = -8.8A
V GS = -10V
0.08
0.06
0.04
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = -4.4A
T A = 125 o C
T A = 25 o C
0.02
0.8
0.6
0
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
o
125
150
2
4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
25 C
50
40
30
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = -5V
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
T A = 125 o C
1
o
T A = 125 C
-55 C
20
o
o
0.1
-55 o C
25 C
10
0
o
0.01
0.001
2
2.5
3 3.5 4 4.5
5
0
0.4 0.8 1.2
1.6
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS4935BZ Rev B1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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